Конкурс научно-исследовательских проектов Института перспективных технологий Самсунг (SAIT) | Новости СФУ

Конкурс научно-исследовательских проектов Института перспективных технологий Самсунг (SAIT)

Московское Представительство компании Самсунг Электроникс информирует о конкурсе научно-исследовательских проектов Института перспективных технологий Самсунг (SAIT). Данный конкурс предполагает заключение научно-исследовательских контрактов с его победителями на сумму от 50000 до 100000 долл. США, включая накладные расходы.

Научные направления (включающие 32 конкретные темы):

  1. Проактивные вычисления «в облаке»;
  2. Спаренная передача электронов и протонов (PCET);
  3. Фотонное интегральное соединение;
  4. Инжиниринг метаболических процессов;
  5. Органические солнечные элементы;
  6. Информационные технологии будущего;
  7. UX будущего поколения;
  8. Однокристальные системы (SOC);
  9. Мехатроника;
  10. Новые технологии памяти;
  11. Архитектура системы;
  12. Новые среды и вычисления;
  13. Материалы и устройства;
  14. Экология;
  15. Медицинские технологии.

Срок: до 28 мая 2011 года.

Проектное предложение оформляется по форме (http://www.sait.samsung.com/eng/about/e_open_2011.jsp ), объём — не более 10 страниц, включая любые приложения, плюс CV научного руководителя проекта, его коллеги и одного магистранта или аспиранта.

В СФУ обращаться:
Евгения Маркова,
начальник отдела международных проектов и программ
Центра грантовой поддержки
пр. Свободный, 82 А, ауд. 224-5
тел.: 249-79-12
E-mail: ELementa@sfu-kras.ru

Центр грантовой поддержки,

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.